מספר מוצר של יצרן:
TSM60NB099CZ C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM60NB099CZ C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12893946
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM60NB099CZ C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
62 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2587 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
298W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TSM60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM60NB099CZC0G
TSM60NB099CZ C0G-DG
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP30N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
5189
DiGi מספר חלק
STP30N65M5-DG
מחיר ליחידה
3.17
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK25E60X,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
13
DiGi מספר חלק
TK25E60X,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.80
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP60R120C7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
131
DiGi מספר חלק
IPP60R120C7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TSM60NB099CZ
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TSM60NB099CZ-DG
מחיר ליחידה
6.90
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF2807ZSTRL
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
TSM3401CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
TSM480P06CH X0G
MOSFET P-CHANNEL 60V 20A TO251